430MHz高IMD特性50Wリニア・アンプ
回路図 アンプ本体 周辺回路 製作編 調整編 トラブル

調整編(肝心なのはここからです。)
準備するもの
  1. 送信機
  2. ダミーロード
  3. SWR計2台(入出力)
  4. 電源(出来れば電流制限出来るもの)
  5. 中継ケーブル
  6. テスター

確認事項

  1. 各部品はしっかり半田付けされていますか。
  2. 基板上の島の周りに微細なショートがないか良くチェックしてください。
  3. 出力にダミーが入っていますか
  4. 送信機のパワーは最小ですか

準備

  1. アンプの入力と出力にSWR計を接続し電源端子に安定化電源をつなぎます。
  2. 電圧は12.5V〜13.8Vとします。
  3. 入力側のトリマーを両方とも半分入った状態に合わせてください。
  4. 出力側のトリマーを両方とも九分めまで入った状態に合わせてください。
  5. ベース・バイアス回路のバイアス調整半固定を絞っておきます。(電圧が最小)

アイドリング調整

  1. アンプ基板と電源の間に電流計を入れます。(1A以上のレンジ)
  2. アンプの異常発振時の保護のため電源に電流制限機能がついている物であれば制限電流を1〜2Aにセットしておいてください。(1000円ぐらいで売っているスイッチング電源(オーバーカレント機能付き)12V1〜2Aを用意しておくと良いと思います。)異常発振すると電流がガアーンと流れてデバイスが終わっちゃいます。
  3. 電源を投入し、電流が約500mA〜1Aになるようにベースバイアス回路の半固定を調整します。この時、半固定を回しても素直に調整できないようであれば、発振しています。すぐに電断してください。
対策
  1. 電源ライン及びバイアス・ラインのデカップリング
  2. パスコンの強化:数十pF〜1000P、0.001μ等を追加
  3. バイアスラインにもう一段RFCを追加してしても良いと思います。
  4. プロの話しではこの時点で発振しているようなら、最初から作り直したほうがいいでしょう。とのことでした(私ではありません某M社のOさんです)

アイドリング電流は安定しましたか?
次にトランジスタのベース側のRFCをベースバイアス回路から一旦、基板に直接接地してCクラス動作にします。(電源に電流制限機能のついている場合はやらなくても良い)


入出力調整
調整時の注意事項
  1. 調整中は、電流を常に監視しながら行ってください。
  2. 送信しっぱなしではなく、こまめにオン・オフしながら行ってください。
調整A(バイアス未印加)
  1. 電源の制限電流を10Aぐらいとし、再度電源投入。
  2. 送信して入力電力を加え、入出力のトリマーを粗調整します。
  3. 入力の反射電力は最低に、出力電力は最大にすばやく交互に調整
  4. これで、入力トリマが半分ぐらい、出力トリマが8〜9分入る状態で左右同じ位置であればOK

バイアスを元に戻す。
調整B(バイアス印加)
  1. 再度アイドリング電流確認
  2. 電源の制限電流を20Aにする
  3. さきほどと同じ調整を繰り返す
  4. 入力電力を数Wから段々大きくしていって、その都度入出力のトリマーを調整します。

半導体アンプは真空管アンプと違ってそこそこの所で調整はよしとしないと高価な

デバイスを壊してしまいます。くれぐれも過入力には注意してください
(私はいつもこの教えを忘れて、ずいぶんデバイスを飛ばしました。ちなみに50W入力で私のパワー計でですが180Wまで出たことがあります。)

(入力は1個あたり20Wぐらいまで。HFEの違いによりトータル40Wとはかぎらない)

入力アッテネータ無しで20W入力で100W〜120W(5〜6倍)ぐらいを

目標に調整してください。

過入力になると出力がオーバーするだけでなく高調波やIMD特性が一気に悪化します。